Canon постоянно исследует новые методы производства различных сенсоров, и вот новый патент JP-2019-212737 зарегистрированный в Японии, как раз-таки, описывает датчики с задней подсветкой и, в частности, некоторые способы его изготовления. Canon в этом патенте обеспокоена тем, что в процессе травления фотодиоды и цепи вдоль края сенсора могут быть повреждены. Их предложение состоит в том, чтобы расположить заряженную пленку сверху, тем самым уменьшая повреждения.
Из патента:
«Фотодиод для накопления электронов и области множества размещенных пикселей известен как твердотельное устройство формирования изображения, которое имеет полупроводниковую подложку, включающую в себя область периферийной схемы. В качестве примера этого твердотельного устройства формирования изображения существует так называемое твердотельное устройство формирования изображения с задней подсветкой, в котором полупроводниковая подложка, имеющая ФД, предусмотрена между решеткой микролинз и слоем разводки. В качестве технологии, применимой к этому твердотельному устройству формирования изображения, существует технология, в которой слой хранения дырок формируется на поверхности приема света ПД посредством обеспечения пленки с отрицательным фиксированным зарядом на стороне поверхности приема света ПД (для Примера, Патентный документ 1). В твердотельном устройстве формирования изображения в соответствии с Патентным документом 1, благодаря предоставлению пленки с отрицательным фиксированным зарядом, заряд, возникающий в результате состояния интерфейса между ПД и пленкой, обеспеченной на поверхности приема света ПД.
Дополнение 7 патентного документа 1, пленка положительного фиксированного заряда предусмотрена в области периферийной схемы, а пленка отрицательного фиксированного заряда предусмотрена на верхней поверхности пленки положительного фиксированного заряда и поверхности приема света ФД. За счет этого неисправности уменьшаются.»
Одна из целей данного изобретения является создание твердотельного устройства формирования изображения, и устранение неисправности повреждения транзистора, предотвращенного проникновением в ПД травлением во время изготовления.
Еще больше новостей и вдохновения в наших социальных сетях: Вконтакте, Facebook, Instagram и Telegram.
